长江存储计划跳过96层方案：2020年上马128层堆叠闪存

原标题：长江存储计划跳过96层方案：2020年上马128层堆叠闪存

3D堆叠、TLC/QLC闪存等技术的发展，让大容量、低价格的SSD成为可能。为了让容价比更上一层楼，72层、96层堆叠技术正如火如荼，预计在2019年迎来量产爆发期，包括 Intel、美光、三星、SK海力士、东芝等都做了规划。

虽然只是业内新人，不过我国的长江存储已经开始供货32层闪存产品，并预期在明年第三、四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片，该芯片现正处于出样阶段。

据Digitimes报道，，长江存储最新的技术路线图是，跳过96层闪存，直接在2020年左右上马量产128层堆叠产品。

这样一来，长江存储就很有希望在代际上追平同时期的传统大厂，如果产能跟得上，还将对国外品牌在中国市场的销售造成可观的冲击。

值得一提的是，长江存储试样中的64层闪存芯片已用上自主Xtacking架构，即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，从而将I/O速度提升到3Gbps。

（编辑：达州站长网）

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